葛振翠同学在Applied Surface Science 杂志发表论文

2020级硕士研究生葛振翠同学文章“Effect of Surface Se Concentration on Stability and Electronic Structure of Monolayer Bi₂O₂Se”被 Applied Surface Science 杂志（SCI二区，IF = 7.392）接收。赵文副教授、马昊博士和郭文跃教授为共同通讯作者。

以硒为末端的硒氧化铋，Bi₂O₂Se，将传统的三维（3D）和二维（2D）范德华材料联系起来，其准二维性质也引起了广泛的关注。本工作利用密度泛函理论研究了不同Se浓度对单层Bi₂O₂Se结构稳定性的影响。研究表明五种Se浓度分别为0%、12.5%、50%、87.5%和100%的单层在不同化学环境中具有高度稳定性。其中，50% Se浓度单层结构是直接带隙半导体，具有高对称性。其他四种Se浓度的单层由于结构形变在能带结构种引入了不同程度的缺陷能级。利用扫描隧道显微镜模拟了表面原子排列，并进一步反映了局部电子结构的分布。我们的工作有望进一步深入了解Bi₂O₂Se单层的稳定性，并推进对其他准2D材料的理解。