2019级博士研究生马昊同学文章“Chemical environment dependent Stabilities, electronic properties and diffusions behaviors of intrinsic point defects in novel Two-Dimensional MoSi2N4 monolayer”被 Applied Surface Science 杂志（中科院分区2021升级版一区，IF = 6.701）接收。赵文副教授、郭文跃教授和韩国基础科学研究院丁峰教授为共同通讯作者。
新型二维MoSi2N4单层材料最近已被合成，并在纳米电子器件和催化领域展现出广阔的应用前景。对于材料的合成和应用，其本征点缺陷势必要考虑，这是因为：一方面，在材料的合成及衬底转移过程中，本征点缺陷将不可避免地被引入；另一方面，也可以通过缺陷工程来有意引入本征点缺陷，进而实现材料改性并探索相关应用。在本文中，MoSi2N4单层的八种本征点缺陷，包括两种空位点缺陷(VN(m)和VN2(m))、四种反位缺陷（SiMo、SiN(t)、MoN(m)和MoSi）和两种吸附原子缺陷（Siada和Nada），在不同化学环境下展现出较高的热力学稳定性。相应的电子性质计算表明，VN(m)和VN2(m)的存在将导致复合中心的出现，进而降低了载流子寿命，从而在高速开关器件方面表现出一定的应用潜力。SiN(t)和Siada缺陷结构分别表现出p型和n型导电特性，可用于PN结的应用。还有，MoSi的存在可能会诱导不寻常的电阻-温度依赖行为，这可能为设计高迁移率半导体提供更多机会。结合点缺陷(单空位和吸附原子)的迁移行为， 合理地解释了VN(m)的肖特基缺陷形成机理。此外，与石墨烯和硅烯中的单空位缺陷相比，MoSi2N4单层中单空位缺陷(VN(m)、VSi和VMo)具有高的迁移势垒，这也表明它们在单层结构中具有更高的动力学稳定性。 N吸附原子在单层表面的迁移比Si吸附原子更加困难，这也增加了在实验观测中捕捉Nada缺陷的几率。这项工作将为MoSi2N4单层和MA2Z4家族的缺陷工程领域提供新的见解。
